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碳化硅單晶中痕量雜質元素含量的測定 輝光放電質譜法
標 準 號:
YS/T 1600-2023
替代情況:
發(fā)布單位:
中華人民共和國工業(yè)和信息化部
起草單位:
國合通用測試評價認證股份公司 等
發(fā)布日期:
2023-04-21
實施日期:
2023-11-01
點 擊 數:
更新日期:
2024年10月07日
內容摘要
本文件規(guī)定了碳化硅單晶中雜質元素含量的輝光放電質譜測定方法。
本文件適用于碳化硅單晶中雜質元素含量的測定。
上一篇:
六氯乙硅烷中雜質含量的測定 電感耦合等…
如需幫助,請聯系我們。聯系電話400-6018-655。
Tag:
安全標準
.
碳化硅
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