本文件規(guī)定了電容?電壓法測(cè)試硅外延層載流子濃度的方法，包括汞探針電容?電壓法和無(wú)接觸電容?電壓法。本文件適用于同質(zhì)硅外延層載流子濃度的測(cè)試，測(cè)試范圍為4×1013 cm-3～8×1016 cm-3，其中硅外延層的厚度大于測(cè)試偏壓下耗盡層深度的兩倍。硅單晶拋光片和同質(zhì)碳化硅外延片載流子濃度的測(cè)試也可以參照本文件進(jìn)行，其中無(wú)接觸電容?電壓法不適用于同質(zhì)碳化硅外延片載流子濃度的測(cè)試。