本文件規(guī)定了砷化鎵單晶的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標志、包裝、運輸、貯存、隨行文件及訂貨單內(nèi)容。
本文件適用于液封直拉法(LEC)、垂直梯度凝固法(VGF)、垂直布里奇曼法(VB)生長的，用于制備光電子、微電子等器件的砷化鎵單晶，不適用于水平布里奇曼法(HB)生長的砷化鎵單晶。