本標(biāo)準(zhǔn)代替ＧＢ／Ｔ１７４７３—１９９８ 《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法》（所有部分），本標(biāo)準(zhǔn)分
為７個(gè)部分,本部分為ＧＢ／Ｔ１７４７３—２００８的第６部分。 本部分規(guī)定了微電子技術(shù)用貴金屬漿料分辨率的測(cè)定方法。
本部分適用于微電子技術(shù)用貴金屬漿料的分辨率測(cè)定。 本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．６—１９９８ 《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法　分辨率測(cè)定》。
本部分與ＧＢ／Ｔ１７４７３．６—１９９８相比，主要有如下變動(dòng)：
———將原標(biāo)準(zhǔn)名稱修改為微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法　分辨率測(cè)定；
———增加了固化型貴金屬漿料分辨率測(cè)定的內(nèi)容；
———原“光刻膜絲網(wǎng)網(wǎng)徑２０２５μｍ 不銹鋼絲網(wǎng)”改為“光刻膜絲網(wǎng)，絲網(wǎng)孔徑不大于５４μｍ”；
———增加６．３將印有固化型的試樣按其規(guī)定的工藝要求進(jìn)行靜置、烘干、固化，固化后試樣膜厚控制在１μｍ～１５μｍ；
———分辨率規(guī)格分級(jí)重新定義為０．１ｍｍ、０．２ｍｍ、０．３ｍｍ、０．４ｍｍ、０．５ｍｍ 五個(gè)級(jí)別。