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半絕緣砷化鎵單晶深施主EL2濃度紅外吸收測試方法

標 準 號: GB/T 17170-2015
替代情況: 替代 GB/T 17170-1997
發(fā)布單位: 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
起草單位: 信息產(chǎn)業(yè)專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心、天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司、中國電子材料行業(yè)協(xié)會
發(fā)布日期: 2015-12-10
實施日期: 2016-07-01
點 擊 數(shù):
更新日期: 2017年11月22日
內(nèi)容摘要

本標準規(guī)定了半絕緣砷化鎵單晶深施主 EL2濃度的紅外吸收測試方法。
本標準適用于電阻率大于106 Ω·cm 的非摻雜和碳摻雜半絕緣砷化鎵單晶深施主 EL2濃度的測定。
本標準不適用于摻鉻半絕緣砷化鎵單晶深施主 EL2濃度的測定。

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