本文件規(guī)定了碳化硅單晶生長(zhǎng)裝置的產(chǎn)品分類(lèi)、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存以及訂購(gòu)與供貨。本文件適用于在真空或保護(hù)氣氛下，采用間接電阻加熱生長(zhǎng)碳化硅單晶的電熱裝置。采用高頻感應(yīng)加熱的生長(zhǎng)碳化硅單晶的裝置參照使用。本文件適用于物理氣相輸運(yùn)法碳化硅單晶生長(zhǎng)裝置，其他方法的碳化硅單晶生長(zhǎng)裝置參照使用。
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