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半導(dǎo)體集成電路 第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 (ddr3 sdram)測(cè)試方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào)： GB/T 36474-2018
替代情況：
發(fā)布單位： 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位： 中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院
發(fā)布日期： 2018-06-07
實(shí)施日期： 2019-01-01
點(diǎn) 擊 數(shù)：
更新日期： 2018年10月03日
內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域中第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器功能驗(yàn)證和電參數(shù)測(cè)試。

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