本文件規(guī)定了利用透射電子顯微鏡（TEM）測(cè)量金屬薄晶體中位錯(cuò)密度的設(shè)備、試樣、測(cè)定方法、數(shù)據(jù)處理、測(cè)定結(jié)果的不確定度和試驗(yàn)報(bào)告。
本文件適用于測(cè)定晶粒內(nèi)不高于1×10 15m-2的位錯(cuò)密度。也適用于測(cè)量幾十納米至幾百納米厚度金屬薄晶體試樣中單個(gè)晶粒內(nèi)的位錯(cuò)密度。