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多晶硅 痕量元素化學(xué)分析 輝光放電質(zhì)譜法

標(biāo) 準(zhǔn) 號: GB/T 33236-2016
替代情況:
發(fā)布單位: 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
起草單位: 中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所
發(fā)布日期: 2016-12-13
實(shí)施日期: 2017-11-01
點(diǎn) 擊 數(shù):
更新日期: 2017年05月03日
內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用輝光放電質(zhì)譜(GD?MS)法測量多晶硅中雜質(zhì)元素的測試方法。?本標(biāo)準(zhǔn)適用于多晶硅材料中除氫和惰性氣體元素以外的其他雜質(zhì)元素含量的測定,測量范圍是本方法的檢出限至0.1%(質(zhì)量分?jǐn)?shù)),檢出限根據(jù)所用儀器及測量條件確定。通過合適的標(biāo)準(zhǔn)樣品校正,也可以測量質(zhì)量分?jǐn)?shù)大于0.1%的雜質(zhì)元素含量。單晶硅材料中痕量雜質(zhì)元素也可參照本標(biāo)準(zhǔn)測量。

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