文檔作者：
徐仁伯
文檔來(lái)源：
湖南大學(xué)物理與微電子科學(xué) |
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更新時(shí)間： 2018年04月10日 |
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通過(guò)對(duì)Lc壓控振蕩器原理的分析，設(shè)計(jì)了一種新型cHos集成壓控振蕩器。該電路通過(guò)利用振蕩器的輸出產(chǎn)生高電壓來(lái)控制開(kāi)關(guān)電容陣列的開(kāi)啟來(lái)實(shí)現(xiàn)輸出頻率在不同頻段中轉(zhuǎn)換，從而提高輸出頻率范圍和降低相位噪聲。電路采用TSMCl8rfI藝，用Cadence的SpectreX：具進(jìn)行仿真。結(jié)果表明：在0．6V的電源電壓下，頻率覆蓋了2．07GHz到2．78GHz，可調(diào)控范圍約為29％，總功耗約為i．8mW，lMHz頻偏處相位噪聲約為一120dB／Hz，滿足了設(shè)計(jì)要求．   |
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